A20.PDF 商品信息
1.描述
SGM800PB8B3HTFM_L 是士兰微电子基于自主研发的高密度沟槽工
艺 IGBT 芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于混动和纯电动汽车
等应用领域，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，为严苛环境
条件下的逆变器运行，提供更可靠的保障。
2.主要特点
800A/750V，VCEsat(典型值) =1.741V@IC=800A
基于精细沟槽的 FS-V 技术，阻断电压达 750V
低 VCE(sat)同时具备正温度系数
低开关损耗
低 Qg 和 Cres
采用导热性优良的 DBC
每相内置 NTC
直接水冷基板，低热阻
3.产品规格分类
| 产品名称 | 封装类型 | 打印名称 | 包装方式 |
| SGM800PB8B3HTFM_L | B3H | SGM800PB8B3HTFM_L | 纸箱 |
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