128M 位串行闪存,具有统一的 4KB 扇区和双通道/四通道 SPI
密度 | 128兆字节 | 工业现状 | 大规模生产 |
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断续器 | 2.7V - 3.6V | 频率 | 133兆赫 |
包 | 8 针 SOIC 208 密耳、16 针 SOIC 300 密耳、 24 球 TFBGA 8x6 毫米(6x4 球阵列)、8 焊盘 WSON 6x5 毫米、 8 焊盘 WSON 8x6 毫米、24 球 TFBGA 8x6 毫米(5x5 球阵列) | 温度范围 | -40°C ~ 85°C / -40°C ~ 105°C / -40°C ~ 125°C |
功能列表 | 4 I/O 固定 UID 和 OTP 功能 易失性和非易失性 SR 单个模块/扇区写保护 可编程输出驱动器强度 |